晶片处理和污染控制
颗粒、划痕、静电放电和化学残留物都会导致产量下降。采用受控载体、合格工具、洁净室操作以及谨慎的输送方法可以降低这些风险。.
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颗粒、划痕、静电放电和化学残留物都会导致产量下降。采用受控载体、合格工具、洁净室操作以及谨慎的输送方法可以降低这些风险。.
了解更多 →沉积、粘合、涂层或检测前，清洁表面至关重要。清洁化学品必须清除颗粒、有机物、氧化物和金属污染，同时避免损坏设备结构。.
了解更多 →退火工艺可以减少晶片厚度，从而实现更紧凑的封装结构和更好的热性能。必须同时考虑胶带选择、退火条件、应力消除、边缘保护以及退火后的清洁工作。.
了解更多 →晶圆制造通过晶体生长、切片、氧化、光刻、沉积、蚀刻、植入以及多次清洗步骤将高纯度硅转化为图案化器件。在每个阶段的工艺控制都能保证产率。.
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